Прибор подходит для рутинных измерений в промышленности и научных исследований и может использоваться в различных процессах изготовления тонкопленочного покрытия, таких как химико-механическое полирование, химическое метеорологическое осаждение, физическое осаждение из паровой фазы, процесс формирования пленки центрифугирования и т. д.

1.     Полупроводники: фоторезист, оксид, нитрид и др .;

2.     Плоские дисплеи (включая LCD, PDP, OLED): a-Si, n + -a-Si, Gate-SiNx, MgO, AlQ3, ITO, PR, CuPc, NPB, PVK, PAF, PEDT-PSS, Oxide, Polyimide, так далее.;

3.     Оптическое покрытие: твердое покрытие, просветляющая пленка, фильтрующая пленка и т.д .;

4.     Функциональные покрытия: просветляющие, самоочищающиеся, электрохромные, масляные, Al2O3 и др .;

5.     Высокомолекулярные полимеры: PVA, PET, PP, краситель, Npp, MNA, TAC, PR и др.

Быстрое измерение: типичное время измерения составляет менее 1 секунды,  также можно измерять в режиме реального времени;

Измерение толщины пленки в большом масштабе: диапазон измеряемой толщины пленки составляет от 1 нм до 250 мкм;

U：245 – 1000nm               

UI ：245 – 1700nm             

NIR：950 – 1700nm 

 V：370 – 1000 nm

VI：370 – 1700nm            

Другие спектральные диапазоны

200 – 1000nm：1.6 nm       

 900 – 1700nm：3.2nm

Максимальный размер образца: 12 дюймов (т.е. 300 мм в диаметре)

Стандартный – 1,5 мм, минимальный – 20 мкм (опционально)

U：1 нм – 40 мкм          

UI：1 нм – 250 мкм

V：15 нм – 100 мкм        

VI：15 нм – 250 мкм

NIR：100 нм – 250 мкм

U: 50 нм или больше 

UI: 50 нм или больше

V: 100 нм или более 

VI: 100 нм или более

NIR: более 300 нм

(Для образцов SiO2 на Si)

1-4

U: 0,1 нм

UI: 0,1 нм

V: 0,1 нм

VI: 0,1 нм

NIR: 0,15 нм

(Для образца SiO2 100 нм на подложке Si)

2 нм или 0,4%

(Для образцов SiO2 на подложке Si)

Обычно время составляет 1-2 секунды