·       Высокостабильный источник света гелий-неонового лазера, усовершенствованный метод отбора проб и технология обнаружения с низким уровнем шума обеспечивают высокую стабильность и точность

·       Встроенная технология столика для образцов, совместимая с образцами монокристаллических и поликристаллических кремниевых солнечных элементов, легко заменяется для достижения точных измерений

·       Высокоточный оптический самоколлимационный видео микроскоп  и телеобъектив обеспечивают быстрое и высокоточное выравнивание ориентации образца

·       Новая технология настройки образца эффективно повышает точность позиционирования образца и экономит время работы

·       Новая технология фотоэлектрического усиления и уникальный метод обработки шума значительно снижают воздействие шума на результаты измерений.

·       Общая конструкция интегрированного прибора обеспечивает стабильность системы и экономит место.

·       Конструкция с несколькими углами падения для удовлетворения требований многофункциональности и высокой стабильности

·       Настройка программного обеспечения одним щелчком мыши, обширная библиотека физических моделей и база данных материалов удобны для использования пользователями.

 632,8 нм

M: ручное изменение угла падения

40 ° －90 °, ручная регулировка, шаг 5 °, точность лучше 0,02 °

0,01 нм (для пленки SiO2 толщиной 100 нм на плоской подложке Si)

0,03 нм (для пленки Si3N4 толщиной 80 нм на текстурированной подложке Si)

0,0001 (для пленки SiO2 толщиной 100 нм на плоской подложке Si)

0,0003 (для пленки Si3N4 толщиной 80 нм на текстурированной подложке Si)

Типичное время измерения 0,6 секунды

Образцы шероховатой поверхности: связаны с физической структурой и свойствами материала

Образец гладкой плоскости: прозрачная пленка может достигать 4000 нм, поглощающая пленка зависит от свойств материала